【大河财立方消息】9月28日晚间，长鑫科技披露百亿投资计划 ，拟241亿元、108亿元分别投建技术研发项目 、存储器晶圆后道测试基地二期项目 。
根据公告 ，长鑫科技拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目 。同时，长鑫科技拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金50亿元 ，由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目 ”。
长鑫科技本次拟实施的技术研发项目 ，项目投资总额241亿元，建设周期30个月；存储器晶圆后道测试基地二期项目 ，总投资108亿元 ，计划建设一座测试工厂，为DRAM 存储芯片提供测试以及模组组装 ，项目建设周期37个月 。
长鑫科技表示 ，拟通过实施超募项目，开展技术研发工作，在保持公司技术领先性的同时 ，也有利于公司更快地推出满足市场需求 、性能更好、竞争力更强的产品 ，以增强公司的核心竞争力及抗风险能力 。
同时，长鑫科技也提到 ，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目 ，能够更灵活协调测试产能利用率，降低公司DRAM 芯片测试成本 ，提升公司运营效率和测试技术 ，有利于公司进一步完善IDM 模式 、增强公司的整体竞争力。
今年7月27日，长鑫科技登陆科创板 。长鑫科技本次IPO共发行76.91亿股（含超额配售选取 权全额行使） ，募集资金净额为663.10亿元 ，其中超募金额368.10亿元 。
截至9月28日收盘，长鑫科技报53.8元/股 ，最新市值3.65亿元。
（文章来源：大河财立方）
